1、什么是存储测试机？
存储测试机可以理解为存储芯片产线上的“高速质检与分级系统”。DRAM、NAND Flash、HBM在生产过程中会经历晶圆制造、封装、老化、速度分档和最终出货等多个环节，每个环节都需要测试机判断芯片是否能正常读写、速度能达到什么等级、在高低温和长时间工作下是否稳定，以及内部坏点能否被修复。因此，它不是简单地把芯片分成“好品”和“坏品”，而是要在海量Die和封装颗粒中，把真正可用的芯片筛出来，并进一步按性能、可靠性和应用场景分层。
与SoC测试机相比，存储测试机面对的芯片结构更规则，但数量巨大，测试效率要求极高。它更像一条高并发流水线，关键不是单颗芯片测得多复杂，而是能否同时、稳定、低成本地测试成千上万颗芯片。所以存储测试机最重要的指标是单位时间产出、单位测试成本、通道一致性、误判率控制和长期量产数据积累。尤其进入HBM时代后，测试对象从单颗存储芯片变成多层堆叠结构，测试机的重要性进一步提升。
2、中韩存储厂资本开支驱动测试需求：
韩国、中国存储厂同时进入一轮以AI存储为核心的资本开支上修周期，其中韩国侧的主线是HBM、先进DRAM、先进封装和测试设施建设，中国侧的主线是长鑫存储、长江存储等本土存储厂在涨价周期、客户导入、产能利用率高位和上市融资推动下继续扩产。
SK海力士近期披露了中长期投资框架，计划围绕龙仁、清州和西南地区形成大规模半导体投资布局，其中清州规划约100万亿韩元投资，约80万亿韩元用于M17 NAND新厂，约20万亿韩元用于P&T7等设施，而P&T7定位为先进封装设施；这一类投资虽然名义上覆盖晶圆、封装和园区建设，但从设备传导看，任何面向HBM、DRAM、NAND的新增产能最终都绕不开测试产能匹配。TrendForce援引韩媒报道称，三星和SK海力士2026年新增产能的大部分将流向HBM，其中三星计划围绕平泽P4将DRAM产出提升约20%，主要支持1c DRAM和HBM4。
中国侧的催化同样清晰。即将上市的长鑫存储2025年营收618亿元，2026上半年营收1100-1200亿元、同比增长超6倍，2025年产能利用率达到95.7%，2024年和2025年构建资产现金支出分别为712.3亿元和497.4亿元，说明其已经从早期验证阶段进入高产能利用率、高资本开支、高盈利弹性的阶段。长鑫存储计划在科创板IPO中募资约295亿元人民币，资金将用于产线和技术升级。
这意味着存储测试设备需求开始同时受益于三条线索：其一，存储厂晶圆产能扩张会带动晶圆级CP测试机、探针卡和探针台等前段测试设备需求；其二，封装、老化、FT和高速分档环节扩产会带动成品测试机、老化测试设备、分选机及测试治具等后道测试设备需求；其三，HBM、DDR5和高容量服务器DRAM占比提升，会把测试要求从普通功能验证推向高速、高并行、高可靠性和复杂堆叠结构验证，从而提升测试设备的单机价值量和系统复杂度。
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